Die Transistortechnik ist eines jener Gebiete, auf dem in den letzten Jahren ganz erhebliche Fortschritte technischer und wirtschaftlicher Art gemacht werden konnten. An dieser Entwicklung hat die Transistormetechnik, die sich mit den Verfahren zur Bestimmung der Kennwerte und Kenngren des Transistors be schftigt, in ganz entscheidendem Mae Anteil. Eine geschlossene Darstellung der vielfltigen Meverfahren erscheint deshalb zum gegenwrtigen Zeitpunkt als gerechtfertigt. Die Entstehung einer "Transistormetechnik" hat verschiedene Ursachen: Der Transistor mu, seiner Funktionsweise entsprechend, durch mehr Kennwerte beschrieben werden als die in dieser Hinsicht wesentlich angenehmere Elektronen rhre. Die Kennwerte hngen zudem von einer ganzen Reihe von Parametern wie Frequenz, Arbeitspunkt, Temperatur ab, die es dem Hersteller aus wirtschaftlichen Grnden versagen, auch nur annhernd ausreichendes Datenmaterial fr die vielen Anwendungsbereiche bereitzustellen. Auch die relativ leicht eintretende Gefahr der berlastung des Transistors zwingt den Hersteller, eine grere Anzahl von Kenn werten und Sicherheitsgrenzen anzugeben, die durchweg auf experimentellem Wege kontrolliert werden. Schlielich veranlaten - vor allem in der ersten Entwicklungs phase - die groen, heute durch die Planartechnologie eingeengten Streuungen der Kenngren einen hohen metechnischen Aufwand seitens des Herstellers, um dem Anwender einigermaen vertretbare Streugrenzen herausmessen zu knnen. Gegenstand der Transistormetechnik sind nicht die grundstzlichen schwach stromtechnischen Meverfahren schlechthin, sondern ihre Anpassung und An wendung auf den Transistor unter Beachtung seiner Besonderheiten. Die Flle der bekannt gewordenenVerfahren versagte es von vornherein, ber das zum Ver stndnis grundstzlich Notwendige hinauszugehen, und die vielen Schaltungs auslegungen im Detail zu analysieren. Diese Krzung drfte zugunsten einer ber sichtlicheren Darstellung vertretbar sein.